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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH80NE2LM7UCGS
Price: 409 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IQEH80NE2LM7UCGS

メーカ番号：

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

ライフサイクル:

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データシート:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 データシート (PDF)

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在庫: 4,792

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	¥264	¥2,640
	¥180.8	¥18,080
	¥145	¥72,500
	¥140.2	¥140,200
	¥134.6	¥336,500
完全リール（6000の倍数で注文）
	¥134.6	¥807,600

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	282 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	800 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	16 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	17.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	107 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	2.7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	50 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	1.4 ns
シリーズ:	OptiMOS 7
工場パックの数量:	6000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	20.1 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.4 ns
別の部品番号:	IQEH80NE2LM7UCGSC SP006008718

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データシート

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFET

Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFETは、要求の厳しい電力変換アプリケーション用に設計された高性能Nチャンネルトランジスタです。これらのMOSFETは、非常に低いオン抵抗、卓越した熱抵抗、dv/dtに対する堅牢性を高める優れたミラー比を提供します。OptiMOS™7 パワーMOSFETは、ハードスイッチングトポロジとソフトスイッチングトポロジ、FOM_ossで最適化されています。これらのMOSFETは、アバランシェ耐性を100％テスト実施済みで、ROHSに準拠しています。OptiMOS™7パワーMOSFETは、IEC61249-2-21に準拠し、ハロゲンフリーです。