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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH84NE2LM7UCGA
Price: 385 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IQEH84NE2LM7UCGA

メーカ番号：

IQEH84NE2LM7UCGATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 データシート (PDF)

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	¥248	¥2,480
	¥169.6	¥16,960
	¥135.2	¥67,600
	¥129	¥129,000
	¥123.8	¥309,500
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥123.8	¥619,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	275 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	840 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	16 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	17.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	107 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	AT
下降時間:	2.4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	50 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	3 ns
シリーズ:	OptiMOS 7
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	18 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.1 ns
別の部品番号:	IQEH84NE2LM7UCG SP005960138

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データシート

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFET

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N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

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