IS66WVE2M16EBLL-70BLI

ISSI
870-66E2M16EBLL70BLI
IS66WVE2M16EBLL-70BLI

メーカ：

詳細：
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

データシート:
ECADモデル:
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メーカ 部品番号:
IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR
梱包:
Reel, Cut Tape, MouseReel
在庫状況:
在庫
価格:
¥738
最低:
1

製品属性 属性値 属性の選択
ISSI
製品カテゴリー: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-48
ブランド: ISSI
メモリ タイプ: SDR
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
シリーズ: IS66WVE2M16EBLL
工場パックの数量: 480
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
タイプ: Asynchronous
単位重量: 86 mg
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854232021
CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320002
KRHTS:
8542321010
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。

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