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ISC024N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC024N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC024N08NM7ATMA
Price: 619 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-ISC024N08NM7ATMA

メーカ番号：

ISC024N08NM7ATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

ISC024N08NM7ATMA1 データシート (PDF)

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在庫: 2,030

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数量	ユニット価格	合計額
	¥619.6	¥620
	¥403.6	¥4,036
	¥294	¥29,400
	¥245.8	¥122,900
	¥229.2	¥229,200
	¥214.3	¥535,750
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥214.3	¥1,071,500

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-TDSON-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	167 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.2 V
Qg - ゲート電荷:	49 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	150 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	130 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	3.8 ns
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	20.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10.3 ns
別の部品番号:	ISC024N08NM7 SP006183896

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データシート

ISC024N08NM7ATMA1 データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: オーストリア
組立原産国:: 中国
拡散国:: オーストリア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET

インフィニオン (Infineon) の N チャネル OptiMOS™ 7 80V パワー MOSFET は、N チャネルのノーマルレベルデバイスで、優れた熱抵抗特性を備えています。OptiMOS 7 80V パワー MOSFET シリーズは、ソフトリカバリ特性を備えたボディダイオードを提供し、175°C までの定格に対応しています。インフィニオン (Infineon) の OptiMOS 7 80V パワー MOSFET は PG‑TDSON‑8 パッケージで提供され、モータードライブおよび同期整流アプリケーション向けに最適化されています。

NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFET

Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFETは、要求の厳しい電力変換アプリケーション用に設計された高性能Nチャンネルトランジスタです。これらのMOSFETは、非常に低いオン抵抗、卓越した熱抵抗、dv/dtに対する堅牢性を高める優れたミラー比を提供します。OptiMOS™ 7パワーMOSFETは、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングの両トポロジー、ならびにFOM_ossに最適化されています。これらのMOSFETは、アバランシェ耐性を100％テスト実施済みで、ROHSに準拠しています。OptiMOS™7パワーMOSFETは、IEC61249-2-21に準拠し、ハロゲンフリーです。