IXFH90N65X3

Name: IXYS IXFH90N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH90N65X3
Price: 2947 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFH90N65X3

メーカ番号：

IXFH90N65X3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247

データシート:

IXFH90N65X3 データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	90 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	33 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.2 V
Qg - ゲート電荷:	95 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	960 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	38 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	11 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	63 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	28 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

X3-Class HiPerFET™パワーMOSFET

IXYS X3-Class HiPerFET™パワーMOSFETは、Nチャンネル・エンハンスメント・モード、アバランシェ定格MOSFETです。X3-Classは、高電力密度を実現しており、取付が簡単で、すべて省スペースパッケージに収められています。IXYS X3-Class MOSFETは、スイッチモードおよび共振モード電源での使用に最適です。