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LF21814NTR

Name: IXYS LF21814NTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF21814NTR
Price: 294 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-LF21814NTR

メーカ番号：

LF21814NTR

メーカ：

IXYS Integrated Circuits

詳細：

ゲートドライバ HI LO Side DRVR 1.4A SOIC(N)-14

データシート:

LF21814NTR データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 90

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥294.4	¥294
	¥217.6	¥2,176
	¥198.4	¥4,960
	¥176	¥17,600
	¥166.4	¥41,600
	¥159.5	¥79,750
	¥154.4	¥154,400
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥153.3	¥383,250

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
タイプ:	High-Side, Low-Side
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-14
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	2 Output
供給電圧 - 最小:	10 V
供給電圧 - 最大:	20 V
上昇時間:	40 ns
下降時間:	20 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	IXYS Integrated Circuits
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
論理タイプ:	CMOS, TTL
最長電源切断遅延時間:	330 ns
最長電源投入遅延時間:	270 ns
水分感度:	Yes
動作供給電流:	120 uA
Pd - 電力損失:	1 W
製品タイプ:	Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大:	35 ns
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si

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選択した属性: 0

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データシート

LF21814NTR データシート (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

ゲートドライバ（NチャンネルMOSFET & IGBT用）

N チャネルMOSFETおよびIGBT用IXYSゲートドライバには、高電圧高速ゲートドライバおよび3相ゲートドライバICが含まれています。これらのデバイスは、ハーフブリッジ構成またはハイサイド/ローサイド構成で 2 つの N チャネルMOSFETまたはIGBTドライブ用に設計されています。高電圧テクノロジーブートストラップ操作でハイサイドを600Vにスイッチすることができます。ドライバは、ドライバの相互導通を最小限に抑えることを目的に設計された大パルス電流バッファ機能を実現します。その他の機能には、3.3V機能を備えた論理入力、シュミット論理ロジック入力、および不足電圧ロックアウト(UVLO) 保護が含まれます。N チャネルのIXYSゲートドライバMOSFETおよびIGBTは、-40°C から +125°C の拡張温度範囲で動作します。

低圧側および高圧側ゲートドライバIC

IXYS高圧側および低圧側ゲートドライバICは、600mA/290mA～4.5A/4.5Aシンク/ソース出力電流機能に対応しており、 10V～20Vの広い動作電圧範囲が特徴です。また、保護機能には、低電圧ロックアウト（UVLO）およびシュートスルーがあります。IXYSハイサイドおよびローサイドゲートドライバICは、-40°C～+125°Cの温度範囲で動作し、SOIC-8、14、16の業界標準パッケージとピン配列でご用意があります。