MASTERGAN1L

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1L
MASTERGAN1L

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

ECADモデル:
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在庫状況

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在庫なし
工場リードタイム:
26 週間 工場生産予定時間。
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,409.6 ¥1,410
¥1,057.6 ¥10,576
¥1,008 ¥25,200
¥875.2 ¥87,520
¥835.2 ¥208,800
¥761.6 ¥380,800
¥680 ¥680,000

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メーカ 部品番号:
梱包:
Reel, Cut Tape
在庫状況:
在庫
価格:
¥1,142
最低:
1

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
ブランド: STMicroelectronics
水分感度: Yes
Pd - 電力損失: 40 mW
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 70 ns
工場パックの数量: 1560
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
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選択した属性: 0

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバ

STMicroelectronics MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバには、高電力密度電源が実装されており、ハーフブリッジ構成でのゲートドライバと2つのエンハンスメントモードGaNトランジスタの両方が集積されています。統合パワーGaNは、150mΩのRDS (ON) および650Vドレイン・ソース破壊電圧が特徴です。集積ブートストラップダイオードは、組み込みゲートドライバの低圧側に迅速に電源を供給できます。

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