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MR20H40CDF

Name: Everspin Technologies MR20H40CDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR20H40CDF
Price: 5002 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

936-MR20H40CDF

メーカ番号：

MR20H40CDF

メーカ：

Everspin Technologies

詳細：

MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

データシート:

MR20H40CDF データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Everspin Technologies
製品カテゴリー:	MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:
パッケージ/ケース:	DFN-8
インタフェースタイプ:	SPI
メモリサイズ:	4 Mbit
編成:	512 k x 8
データバス幅:	8 bit
アクセス時間:	20 ns
供給電圧 - 最小:	3 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
動作供給電流:	13.8 mA, 33 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	MR20H40
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Everspin Technologies
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
Pd - 電力損失:	600 mW
製品タイプ:	MRAM
工場パックの数量:	570
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
トレードネーム:	Serial I/O (SPI)
単位重量:	37.400 mg

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データシート

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854232031
CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.