MR25H128ACDF

Name: Everspin Technologies MR25H128ACDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR25H128ACDF
Price: 896 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

936-MR25H128ACDF

メーカ番号：

MR25H128ACDF

メーカ：

Everspin Technologies

詳細：

MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

データシート:

MR25H128ACDF データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥828.8	¥8,288
	¥804.8	¥20,120
	¥785.6	¥39,280
	¥766.4	¥76,640
	¥742.4	¥185,600
	¥721.6	¥411,312
	¥708.8	¥808,032
	¥654.4	¥1,865,040

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Everspin Technologies
製品カテゴリー:	MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:
パッケージ/ケース:	DFN-8
インタフェースタイプ:	SPI
メモリサイズ:	128 kbit
編成:	16 k x 8
データバス幅:	8 bit
供給電圧 - 最小:	2.7 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
動作供給電流:	6 mA, 23 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	MR25H128A
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Everspin Technologies
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
Pd - 電力損失:	600 mW
製品タイプ:	MRAM
工場パックの数量:	570
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
トレードネーム:	Serial I/O (SPI)

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データシート

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CAHTS:: 8542320090
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MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.