MRFE6VP6300HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP6300HR5
MRFE6VP6300HR5

メーカ:

詳細:
RF MOSFETトランジスタ VHV6 300W50VISM NI780H-4

ECADモデル:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥86,784 ¥86,784
¥75,652.8 ¥756,528
¥74,692.8 ¥1,867,320
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¥71,198.4 ¥3,559,920
100 見積り
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製品属性 属性値 属性の選択
NXP
製品カテゴリー: RF MOSFETトランジスタ
RoHS:  
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
26.5 dB
300 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: NXP Semiconductors
チャンネル数: 2 Channel
Pd - 電力損失: 1.05 kW
製品タイプ: RF MOSFET Transistors
シリーズ: MRFE6VP6300H
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: MOSFETs
タイプ: RF Power MOSFET
Vgs - ゲート-ソース間電圧: + 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 2.7 V
別の部品番号: 935317343178
単位重量: 6.396 g
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 VSWR, a 50VDC, 230MHz at all phase angles.