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MURT40010R

Name: Navitas Semiconductor MURT40010R
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-MURT40010R
Price: 18259 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

905-MURT40010R

メーカ番号：

MURT40010R

メーカ：

GeneSiC Semiconductor

詳細：

ダイオード・モジュール SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R

データシート:

MURT40010R データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Navitas Semiconductor
製品カテゴリー:	ダイオード・モジュール
RoHS:
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	Three Tower
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	100 V
If - 順電流（Forward Current）:	400 A
タイプ:	Super Fast Recovery
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.3 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
シリーズ:	MURT400
パッケージ化:	Bulk
ブランド:	GeneSiC Semiconductor
製品タイプ:	Diode Modules
工場パックの数量:	40
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
技術:	Si

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データシート

MURT40010R データシート (PDF)

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CNHTS:: 8504409999
CAHTS:: 9504409099
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

MURT400x Silicon Super Fast Recovery Diodes

GeneSiC Semiconductor MURT400x silicon super fast recovery diodes provide high surge capability and repetitive peak reverse voltage of up to 600V. GeneSiC MURT400x silicon super fast recovery diodes come in a three tower package and feature continuous forward current of 400A. These GeneSiC Semiconductor silicon super fast recovery diodes provide an operating temperature of -40ºC to +175°C.