NTH4L012N065M3S

Name: onsemi NTH4L012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L012N065M3S
Price: 3192 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

863-NTH4L012N065M3S

メーカ番号：

NTH4L012N065M3S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S

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NTH4L012N065M3S データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	102 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	17 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	135 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	375 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	EliteSiC
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	12 ns
パッケージ化:	Tube
製品:	SiC MOSFET
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	23 ns
シリーズ:	NTH4L012N065M3S
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	49 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5 ns

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データシート

NTH4L012N065M3S データシート (PDF)

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET

オンセミ (onsemi) 650V EliteSiCシリコンカーバイド (SiC) MOSFETは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する（新しい）技術を採用しています。さらに、オン抵抗の低減およびコンパクトなチップ・サイズにより、低容量とゲート電荷を保証します。その結果、最高の効率性、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減といったメリットがあります。オンセミ (onsemi) TOLLパッケージは、ケルビンソース構成と寄生ソースインダクタンスの低減により、熱性能の向上と優れたスイッチング性能を提供します。TOLLは1 湿度感度レベル（MSL 1）を提供しています。