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NTMFS5H409NLT1G

Name: onsemi NTMFS5H409NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5H409NLT1G
Price: 334 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTMFS5H409NLT1G

メーカ番号：

NTMFS5H409NLT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET T8 40V LOW COSS

データシート:

NTMFS5H409NLT1G データシート (PDF)

ECADモデル:

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onsemi NTMFS5H409NLT1Gの詳細を読む

在庫: 4,023

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ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（1500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥334.4	¥334
	¥228.8	¥2,288
	¥193.6	¥19,360
	¥187.2	¥93,600
	¥182.4	¥182,400
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥182.4	¥273,600

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

NTMFS5H409NLT3G

梱包:

Reel, Cut Tape

在庫状況:

在庫

価格:

¥339

最低:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SO-8FL-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	270 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.2 V
Qg - ゲート電荷:	89 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	140 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	14 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	300 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	130 ns
シリーズ:	NTMFS5H
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns
単位重量:	750 mg

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選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

NTMFS5H409NLT1G データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NTMFS5パワーMOSFET

onsemi NTMFS5パワーMOSFETは、40VシングルNチャンネルパワーMOSFETで、SO-8FL論理レベルが特徴です。NTMFS5の低オン抵抗によって、導通損失が最低限に抑えられています。MOSFETの低いゲート電荷および容量によって、ドライバ損失が最低限に抑えられています。コンパクトな5x6mm形状でご用意のあるNTMFS5パワーMOSFETは、ネットコム、テレコム、サーバ、ACアダプタ、電動工具の対処に最適です。
詳細

Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFETは、電力変換アプリケーションで使用されるMOSFETの主な性能指数 (FOM) である、低い最大オン抵抗 (R_DS(ON)) 、超低ゲート充電 (Q_g) 、低 (Q_g) ×R_DS(ON) を特徴としています。Trench8 MOSFETは、T6 テクノロジーに基づいて最適化されたスイッチング性能を特徴とし、Trench6シリーズに比べてQ_g とQ_oss が35%～40%削減されています。Onsemi Trench8 MOSFETは、設計の柔軟性を高めるために、幅広いパッケージタイプで使用できます。AEC-Q101認定およびPPAP対応オプションは、車載アプリケーションに利用できます。これらのデバイスの多くは、自動光学検査（AOI）が可能になるフランクウェッタブル・パッケージで販売されています。