NVMFWS1D1N04XMT1G

onsemi
863-VMFWS1D1N04XMT1G
NVMFWS1D1N04XMT1G

メーカ：

詳細：
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 198

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工場リードタイム：
52
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥427.2 ¥427
¥273.6 ¥2,736
¥187.2 ¥18,720
¥155 ¥77,500
¥136.5 ¥136,500
完全リール（1500の倍数で注文）
¥136.5 ¥204,750

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
233 A
1.05 mOhms
20 V
3.5 V
49.3 nC
- 55 C
+ 175 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 5.5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 152 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 6.7 ns
シリーズ: NVMFWS1D1N04XM
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 34.1 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 21.2 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、フットプリントが小さく、コンパクトで効率的な設計向けに設計されています。伝導損失とドライバ損失を最小限に抑える低RDS（ON）、低QG 、および静電容量を備えたパワーMOSFETです。これらのMOSFETは、40V、60V、80Vドレイン・ソース電圧および±20Vゲート・ソース電圧が利用可能です。onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、鉛フリーおよびRoHS準拠デバイスです。

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