PDZVTR2.0B

Name: ROHM Semiconductor PDZVTR2.0B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PDZVTR2.0B
Price: 86 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-PDZVTR2.0B

メーカ番号：

PDZVTR2.0B

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

ツェナーダイオード Zener Diode 2.0V 1000mW Surface Mount

データシート:

PDZVTR2.0B データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥34.1	¥3,410
	¥25.3	¥12,650
	¥21.4	¥21,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥17.3	¥51,900
	¥15.4	¥92,400

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	ツェナーダイオード
RoHS:
REACH - SVHC:
Vz - ツェナー電圧（Zener Voltage）:	2 V
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOD-128-2
Pd - 電力損失:	1 W
Ir - 最大逆漏洩電流:	200 uA
Zz - ツェナーインピーダンス（Zener Impedance）:	25 Ohms
最高動作温度:	+ 150 C
構成:	Single
テスト電流:	40 mA
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
高さ:	1.05 mm
長さ:	3.9 mm
製品タイプ:	Zener Diodes
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
幅:	2.7 mm
ツェナー電流:	200 uA
別の部品番号:	PDZV2.0B

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Test/Quality Data

RoHS (PDF)

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100050
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

PDZVTRxツェナーダイオード

ROHM Semiconductor PDZVTRxツェナーダイオードは、小さなパワーモールドタイプのダイオードで、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造と高い信頼性が特徴です。これらのツェナーダイオードには、1000mW電力散逸および150°C接合部温度が備わっています。PDZVTRxツェナーダイオードは、-55°C～150°C温度範囲で保管します。これらのツェナーダイオードは、電圧安定化での使用に最適で、エンボステープ・パッケージでご用意があります。