PMDXB600UNELZ

Name: Nexperia PMDXB600UNELZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNELZ
Price: 56 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

771-PMDXB600UNELZ

メーカ番号：

PMDXB600UNELZ

メーカ：

Nexperia

詳細：

MOSFET SOT1216 2NCH 20V .6A

データシート:

PMDXB600UNELZ データシート (PDF)

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（5000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥56	¥56
	¥33.9	¥339
	¥21.3	¥2,130
	¥15.8	¥7,900
	¥12.5	¥12,500
	¥12.2	¥30,500
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥10.2	¥51,000
	¥9.3	¥93,000
	¥8.6	¥215,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Nexperia
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-1010-6
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	600 mA
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	470 mOhms, 470 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	450 mV
Qg - ゲート電荷:	700 pC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	380 mW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Nexperia
構成:	Dual
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	MY
下降時間:	51 ns, 51 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	1 S, 1 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9.2 ns, 9.2 ns
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	19 ns, 19 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.6 ns, 5.6 ns
別の部品番号:	934070432147
単位重量:	1.217 mg

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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PMDXB600UNEL 20VデュアルNチャンネルTrench MOSFET

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