RGS30TSX2DGC11

ROHM Semiconductor
755-RGS30TSX2DGC11
RGS30TSX2DGC11

メーカ：

詳細：
IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 497

在庫：
497 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
22 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
497を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,387.2 ¥1,387
¥948.8 ¥9,488
¥619.2 ¥61,920
¥611.2 ¥275,040
10,350 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
30 A
267 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
ゲート - エミッタ リーク電流: 500 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: IGBTs
別の部品番号: RGS30TSX2D
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選択した属性: 0

データシート

PCN

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2xフィールドストップトレンチIGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2xフィールドストップトレンチIGBTは、10µs SCSOA（短絡安全動作領域）保証の絶縁ゲートバイポーラトランジスタで、一般的なインバータ、UPS、PVインバータ、パワーコンディショナ・アプリケーションに適しています。RGSx0TSX2x IGBTには、サイズの削減と効率性の向上に貢献する低導通損失が備わっています。これらのデバイスには、独自のトレンチゲートおよび薄型ウエハー技術が活用されています。これらのテクノロジーは、スイッチング損失が低減される低コレクタエミッタ飽和電圧（VCE(sat)）の達成に貢献します。これらのIGBTは、さまざまな高電圧・大電流アプリケーションでの省エネを改善します。

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