RGSX5TS65DHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGSX5TS65DHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGSX5TS65DHRC11
Price: 1809 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RGSX5TS65DHRC11

メーカ番号：

RGSX5TS65DHRC11

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT

ライフサイクル:

NRND:

新デザインには推奨しません。

データシート:

RGSX5TS65DHRC11 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

ROHM Semiconductor RGSX5TS65DHRC11の詳細を読む

在庫: 450

在庫：: 450 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 22 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

450を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,809.6	¥1,810
	¥1,083.2	¥10,832
	¥923.2	¥92,320
	¥864	¥388,800

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247N-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	2.15 V
最大ゲートエミッタ電圧:	30 V
25 Cでのコレクターの直流:	114 A
Pd - 電力損失:	404 W
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	ROHM Semiconductor
ゲート - エミッタリーク電流:	200 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	IGBTs
別の部品番号:	RGSX5TS65DHR

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50