RJ1L10BBGTL1

ROHM Semiconductor
755-RJ1L10BBGTL1
RJ1L10BBGTL1

メーカ：

詳細：
MOSFET Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET

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¥-
合計 額:
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,084.8 ¥1,085
¥732.8 ¥7,328
¥540.8 ¥54,080
完全リール（800の倍数で注文）
¥441.6 ¥353,280

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-263AB-3
N-Channel
1 Channel
60 V
240 A
1.85 mOhms
20 V
2.5 V
160 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 140 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 64 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 31 ns
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 230 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 49 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

RJ1x10BBG パワーMOSFET

ローム株式会社の  RJ1x10BBG パワーMOSFETは、低オン抵抗とハイパワーパッケージを特長とするNチャネルパワーMOSFETです。RJ1G10BBG、およびRJ1L10BBGパワーMOSFETは、40Vおよび60Vのドレイン・ソース電圧、 ±280Aおよび ±240Aの連続ドレイン電流、192Wの電力損失を備えています。RJ1x10BBG パワーMOSFETは、RoHSに準拠しています。これらのパワーMOSFETは、無鉛メッキが特徴で、ハロゲンフリー、RgおよびUIS試験を100%完了しています。RJ1x10BBG パワーMOSFETは、-55°C ~ 150°Cの温度範囲内で動作します。代表的なアプリケーションには、スイッチング、モータドライブ、DC/ DCコンバータがあります。

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