SP8M21HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M21HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M21HZGTB
Price: 556 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-SP8M21HZGTB

メーカ番号：

SP8M21HZGTB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET AECQ

データシート:

SP8M21HZGTB データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 4,682

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	¥556.8	¥557
	¥331.2	¥3,312
	¥251.2	¥25,120
	¥211.2	¥105,600
	¥196.8	¥196,800
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥190.4	¥476,000
	¥184	¥920,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOP-8
トランジスタ極性:	N-Channel, P-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	45 V
Id - 連続ドレイン電流:	6 A, 4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	25 mOhms, 46 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V, 2.5 V
Qg - ゲート電荷:	21.6 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Dual
下降時間:	27 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	6 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	30 ns
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel, 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	72 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	19 ns
別の部品番号:	SP8M21HZG

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選択した属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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データシート

SP8M21HZGTB データシート (PDF)

Specification Sheets

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SP8M パワーMOSFET

ROHM Semiconductor SP8MパワーMOSFETは、小さな表面実装パッケージ（SOP8）に収容された低オン抵抗デバイスです。SP8MはPbフリーメッキを特徴としており RoHSに準拠しています。MOSFETはハロゲンフリーで、Sn100%メッキが施されており、AEC-Q101の認定を受けています。