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SQJ409EP-T2_GE3

Name: Vishay SQJ409EP-T2_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ409EP-T2_GE3
Price: 326 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SQJ409EP-T2_GE3

メーカ番号：

SQJ409EP-T2_GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

データシート:

SQJ409EP-T2_GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 40,850

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥326.4	¥326
	¥209.6	¥2,096
	¥140.8	¥14,080
	¥111.8	¥55,900
	¥103.5	¥103,500
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥90.7	¥272,100
	¥86.1	¥516,600

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	60 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	170 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	68 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	SQJ
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors

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選択した属性: 0

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データシート

SQJ409EP-T2_GE3 データシート

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQJ車載用MOSFET

Vishay / Siliconix SQJ車載用MOSFETは、TrenchFET^®Gen IV Nチャンネル40V_DSパワーMOSFETです。これらのAEC-Q101規格に適合したこれらのMOSFETは、100%のRgおよびUIS(クランプされていない誘導性スイッチング)テストを実施し、スイッチング特性を最適化する1未満のQgd/Qgs比を実現しています。SQJ車載用MOSFETは、非常に低いRDS(on)を提供し、-55℃から175℃の温度範囲で動作します。これらの車載グレードMOSFETは、シングル/デュアル構成のPowerPAK^® SO-8Lパッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、エンジン管理、モータドライブとアクチュエータ、バッテリ管理があります。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.