ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

[結果検索] に戻る

エラーが発生しましたか？

SSM3K345R,LF

Name: Toshiba SSM3K345R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K345RLF
Price: 68 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

757-SSM3K345RLF

メーカ番号：

SSM3K345R,LF

メーカ：

Toshiba

詳細：

MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

データシート:

SSM3K345R,LF データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Toshiba SSM3K345R,LFの詳細を読む

在庫: 49,519

在庫：: 49,519 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 18 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥68.8	¥69
	¥32.2	¥322
	¥26.1	¥2,610
	¥20.2	¥10,100
	¥17.9	¥17,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥12.5	¥37,500
	¥12.3	¥73,800
	¥12	¥108,000
	¥11.5	¥276,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Toshiba
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-23F-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	25 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	400 mV
Qg - ゲート電荷:	3.6 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	U-MOSVI
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Toshiba
構成:	Single
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	SSM3K345R
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	45 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	25 ns
単位重量:	11 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SSM3K345R,LF データシート (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

SSM3高電流MOSFET

Toshiba SSM3大電流MOSFETは、大電流定格、低容量、低オン抵抗、高速切替があります。アプリケーションには、モバイルデバイス（ウェアラブルデバイス、スマートフォン、タブレットPCなど）、負荷スイッチ、DC-DCコンバータ、汎用スイッチがあります。Toshiba SSM3 MOSFETは現在、CST3Cパッケージでご用意があります。

SSMxシリコンMOSFET

Toshiba SSMxシリコンMOSFETは、高度テクノロジーを活用して設計されており、低R_ON特性を達成しています。SSMxは、非常にコンパクトで2 x 2mmおよびと2.9 x 2.8mmという薄さになっており、スマートフォンやウェアラブルデバイスといったバッテリ駆動デバイスに必須の損失が低く抑えられているコンパクトなサイズのMOSFETです。