SSM3K35AMFV,L3F

Toshiba
757-SSM3K35AMFVL3F
SSM3K35AMFV,L3F

メーカ:

詳細:
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

ECADモデル:
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在庫: 304,777

在庫:
304,777 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
14 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(8000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥30.4 ¥30
¥17.3 ¥173
¥7.2 ¥720
¥5.6 ¥5,600
¥5.1 ¥25,500
完全リール(8000の倍数で注文)
¥4 ¥32,000
¥3.8 ¥91,200
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VESM-3
N-Channel
1 Channel
20 V
250 mA
1.1 Ohms
- 10 V, 10 V
1 V
340 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSIII
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 5.5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 0.5 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 2 ns
シリーズ: SSM3K35AM
工場パックの数量: 8000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 6.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 2 ns
単位重量: 24 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

U-MOSIII MOSFET

Toshiba U-MOSIII MOSFETは、シングルおよびデュアルチャンネルMOSFETで、ハイスピード・スイッチングアプリケーションに最適です。これらのMOSFETは、ドレイン-ソース間のON抵抗と電圧ゲートドライブが低く抑えられています。

ディスクリート・ソリッドステートドライブ(SSD)ソリューション

Toshibaディスクリート・ソリッドステートドライブ(SSD)ソリューションは、TVS、ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)、LDO、負荷スイッチIC、新しいパワフルなeFuse ICを活用した最新要件を満たす広い製品ラインナップが特徴です。これらのSSDは、従来のハードディスクドライブ(HDD)より迅速にデータを解析できます。SSD技術の向上にともない、重要なデータを障害から安全に保持するための保護とともに、ますます厳格になる電力需要に適合するパワー回路が必要になります。Toshibaは、異常な入力電力状態、およびホットプラグ時の過電圧サージに対処するように設計された電力入力、保護IC、ダイオードの制御を目的とした負荷スイッチとMOSFETの広いラインナップを提供しています。

SSM3高電流MOSFET

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