SSM6N951L,EFF

Name: Toshiba SSM6N951L,EFF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N951L,EFF
Price: 241 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

757-SSM6N951L,EFF

メーカ番号：

SSM6N951L,EFF

メーカ：

Toshiba

詳細：

MOSFET Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V

データシート:

SSM6N951L,EFF データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 5,948

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	¥152.8	¥1,528
	¥102.9	¥10,290
	¥81	¥40,500
	¥70.9	¥70,900
	¥67.8	¥169,500
	¥61.3	¥306,500
完全リール（10000の倍数で注文）
	¥57	¥570,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Toshiba
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	12 V
Id - 連続ドレイン電流:	8 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5.1 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.4 V
Qg - ゲート電荷:	26 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	700 mW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Toshiba
製品タイプ:	MOSFETs
工場パックの数量:	10000
サブカテゴリ:	Transistors

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データシート

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Application Notes

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SSM6N951L/SSM10N954L電界効果トランジスタ

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L電界効果トランジスタは、小型電池の効率性の高い充電と放電を促進します。低熱衝撃でバッテリ’の信頼性を向上させることは、高速充電を採用しているリチウムイオン電池にとって重要な要件です。MOSFETは、一般的にスイッチとして充電/放電保護回路で使用されており、数多くのリチウムイオン電池パックに組み込まれています。