STGD6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGD6M65DF2
STGD6M65DF2

メーカ:

詳細:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

ECADモデル:
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在庫: 3,710

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工場リードタイム:
14 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥259.2 ¥259
¥164.8 ¥1,648
¥109.6 ¥10,960
¥86.4 ¥43,200
¥78.7 ¥78,700
完全リール(2500の倍数で注文)
¥70.2 ¥175,500
¥62.6 ¥313,000
¥62.4 ¥624,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
DPAK-3 (TO-252-3)
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGD6M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 12 A
ゲート - エミッタ リーク電流: +/- 250 uA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 330 mg
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

650V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT

STMicroelectronics 60V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発しています。650V Mシリーズは最大100kHzの動作周波数を備えたアプリケーション用に、3A~150Aの最大コレクター電流を供給します。設計が最適化されており、カスタマイズされた内蔵の抗並列ダイオードでご利用いただけます。
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STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.