STL160N10F8

STMicroelectronics
511-STL160N10F8
STL160N10F8

メーカ:

詳細:
MOSFET N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET

ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
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¥-
合計 額:
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥521.6 ¥522
¥339.2 ¥3,392
¥289.6 ¥28,960
完全リール(3000の倍数で注文)
¥244.8 ¥734,400
¥241.6 ¥1,449,600
24,000 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
100 V
158 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 19 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 17 ns
シリーズ: STripFET F8
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 60 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 22 ns
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET F8NチャンネルパワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル STripFET F8パワーMOSFETは、AEC-Q101認定済みで、30V~150Vの幅広いパッケージ・ソリューションを提供することで、非常に高い電力密度ソリューションのあらゆる要件に対応します。これらの低電圧MOSFETは、STPOWER STripFET F8テクノロジーを導入しています。STripFET F8テクノロジーは、ボディ・ダイオードのプロパティを最適化しながら、オン抵抗とスイッチング損失の両方を低減することで、エネルギーを節約し、電力変換、モータ制御、配電回路の低ノイズ化を実現します。STMicroelectronics Nチャネル STripFET F8パワーMOSFETは、システム設計を簡素化し、車載用、コンピュータ / 周辺機器、データ・センター、通信、太陽光発電システム、電源 / コンバータ、バッテリ・チャージャ、家庭用 / 業務用電気製品、ゲーム、ドローンなどのアプリケーションで効率を向上させます。