TK125U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK125U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK125U60Z1RQ
Price: 612 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

757-TK125U60Z1RQ

メーカ番号：

TK125U60Z1,RQ

メーカ：

Toshiba

詳細：

MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS?

ライフサイクル:

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TK125U60Z1,RQ データシート (PDF)

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	¥403.2	¥4,032
	¥281.6	¥28,160
	¥249.6	¥124,800
完全リール（2000の倍数で注文）
	¥204.8	¥409,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Toshiba
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TOLL-9
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	20 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	125 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	28 nC
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	150 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Toshiba
構成:	Single
下降時間:	5 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	16 ns
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	75 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	38 ns

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データシート

TK125U60Z1,RQ データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx シリコンNチャンネルMOSFET

東芝 (Toshiba) TKx シリコンNチャンネルMOSFETには、U-MOSX-HとDTMOSVIタイプがあり、卓越した性能特性を備えています。逆回復時間を短くし、ターンオフ状態とターンオン状態の間の遅延を低減し、高速スイッチングアプリケーションの効率を向上しました。ドレイン・ソース間のオン抵抗[RDS_（on）]が低いため、電力損失を最小限に抑え、熱管理を改善することができ、大電流を低エネルギー消散で処理する必要があるアプリケーションに最適です。