XPJ1R004PB,LXHQ

Toshiba
757-XPJ1R004PBLXHQ
XPJ1R004PB,LXHQ

メーカ：

詳細：
MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥313.6 ¥314
¥211.2 ¥2,112
¥177.6 ¥17,760
¥171.2 ¥85,600
¥164.8 ¥164,800
完全リール（1500の倍数で注文）
¥164.8 ¥247,200

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Reel
Cut Tape
ブランド: Toshiba
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: JP
製品タイプ: MOSFETs
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

車載用U-MOSIX-HパワーMOSFET

東芝  車載用U-MOSIX-HパワーMOSFETは、40V NチャンネルパワーMOSFETで、車載アプリケーションに最適です。これらのデバイスは、小型の低抵抗SOP高度（WF）パッケージに格納されています。この製品は 導通損失を低減できる低オン抵抗が特徴です。また、U-MOSIX-Hシリーズは、東芝電子デバイス＆ストレージ株式会社’の従来シリーズ（U-MOSIV）に比べ、スイッチングノイズを低減しています。

L-TOGL&S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFET

東芝L-TOGLとS-TOGLAEC-Q10140V/80V/100VNチャネルMOSFETは、超低オン抵抗、高ドレイン電流、高熱消散を実現します。これは、高放熱パッケージ[L-TOGL (大型トランジスタ外形ガルウィングリード）およびS-TOGL (小型トランジスタ外形ガルウィングリード)]とU-MOS IX-HおよびU-MOS X-Hチッププロセスを組み合わせることによって達成されます。Toshiba L-TOGLおよびS-TOGL MOSFETには、大電流能力および高熱放散も備わっており、さまざまな車載アプリケーションでの電力密度の向上に貢献します。L-TOGLパッケージは、既存のTO-220SM（W）パッケージと同等のサイズです。しかしXPQR3004PBは、定格電流を大幅に改善し、オン抵抗を0.23mΩ（標準値）まで大幅に下げました。また同じサイズのTO-220SM（W）パッケージと比較して、L-TOGLの最適化されたパッケージのフットプリントは熱特性を改善する上で役立ちます。

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