SCT055TO65G3

Name: STMicroelectronics SCT055TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT055TO65G3
Price: 1364 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-SCT055TO65G3

メーカ番号：

SCT055TO65G3

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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完全リール（1800の倍数で注文）
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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TOLL-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	72 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	31 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	234 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	IT
下降時間:	13.6 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	5 ns
工場パックの数量:	1800
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	19.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9.2 ns

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ECCN:: EAR99

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