NCP5892強化モードGaNパワースイッチ

Onsemi NCP5892強化モードGaNパワースイッチは、高性能高周波のシリコン(Si)ドライバと650Vのガリウムナイトライド(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を1つのスイッチ構造に統合しています。SiドライバとパワーGaN HEMTスイッチの強力な組み合わせは、分離型ソリューションのGaN HEMTと外部ドライバと比較して、優れた性能を提供します。OnsemiのNCP5892統合実装は、回路およびパッケージの寄生効果を大幅に低減し、よりコンパクトな設計を可能にします。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 製品 タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース 出力数 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 上昇時間 下降時間 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
onsemi ゲートドライバ SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
2,998予想2026/02/20
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Gate Drivers Single SMD/SMT TQFN-26 1 Output 9 V 18 V 9 ns 12 ns - 40 C + 150 C NCP58921 Reel, Cut Tape
onsemi ゲートドライバ SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
3,000予想2026/02/24
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Gate Drivers Single SMD/SMT TQFN-26 1 Output 9 V 18 V 8 ns 9 ns - 40 C + 150 C NCP58922 Reel, Cut Tape
onsemi ゲートドライバ SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
3,000予想2026/02/27
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Gate Drivers Single SMD/SMT TQFN-26 1 Output 9 V 18 V 6 ns 7 ns - 40 C + 150 C NCP58920 Reel, Cut Tape