MMIX1T500N20X4-TU

Name: IXYS MMIX1T500N20X4-TU
Brand: IXYS
SKU: 747-MMIX1T500N20X4TU
Price: 7654 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-MMIX1T500N20X4TU

メーカ番号：

MMIX1T500N20X4-TU

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET 200V < 2mohm X4 n-channel MOSFET in SMPD -X

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

MMIX1T500N20X4-TU データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS MMIX1T500N20X4-TUの詳細を読む

在庫状況

在庫：: 0

この製品は入荷待ちとして購入することができます。

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
取寄中:: 100

予想2026/03/11
工場リードタイム：: 25

週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥7,654.4	¥7,654
	¥6,649.6	¥66,496
	¥5,816	¥581,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SMPD-24
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	200 V
Id - 連続ドレイン電流:	480 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.99 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	535 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	1.07 kW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	485 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	150 S
水分感度:	Yes
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	560 ns
工場パックの数量:	20
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N Channel
標準電源切断遅延時間:	600 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	200 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

MMIX1T500N20X4-TU データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MMIX1T500N20X4 200V X4クラスパワーMOSFET

IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラスパワーMOSFETは、最大200Vの阻止電圧と1.99mΩの低R_DS(on) を備えたNチャネルエンハンスメントモードMOSFETです。低い導通損失を実現し、熱放散を低減しています。また、セラミックベースの高性能絶縁型パッケージにより、全体的な熱抵抗 R_th(j-s) と電力処理能力が向上しています。IXYS MMIX1T500N20X4は、絶縁電圧は1分間で2500V_AC（RMS）で、ゲート電荷（Q_g）は535nCと低くなっています。