結果: 106
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化
Vishay / Siliconix MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
データシート
在庫なし
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
データシート
在庫なし
最低： 800
複数： 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 310 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFET 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified
データシート
在庫なし
最低： 800
複数： 800
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 86 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 82 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET 40V 120A 300W AEC-Q101 Qualified
データシート
在庫なし
最低： 800
複数： 800
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 270 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel