FDMC7570S

Name: onsemi FDMC7570S
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC7570S
Price: 371 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

512-FDMC7570S

メーカ番号：

FDMC7570S

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

データシート:

FDMC7570S データシート

ECADモデル:

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カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥371.2	¥371
	¥286.4	¥2,864
	¥254.4	¥127,200
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥106.9	¥320,700

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	Power-33-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	40 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.7 V
Qg - ゲート電荷:	68 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	59 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SyncFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	4.5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	154 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6.8 ns
シリーズ:	FDMC7570S
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	34 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14 ns
単位重量:	32.130 mg

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選択した属性: 0

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データシート

FDMC7570S データシート

PCN

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FDMx75x PowerTrench® MOSFETs & SyncFETs™

onsemi FDMx757x PowerTrench^® MOSFETs and SyncFETs™ combine exceptional performance and high efficiency. The FDMC7570S and FDMC7572S PowerTrench SyncFETs are designed to minimize switching losses in power conversion applications. These SyncFETs offer low ON-resistance, maintain excellent switching performance, and add the benefit of an efficient monolithic Schottky body diode. The onsemi FDMS7578 and FDMS75780 MOSFETs improve the overall efficiency and minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs are optimized for low gate charge, low on-resistance, fast switching speed, and body diode reverse recovery performance.