50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

結果: 29
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
パッケージ化
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
データシート
非在庫リードタイム 40 週間
最低： 10,000
複数： 10,000
リール: 10,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
データシート
非在庫リードタイム 40 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
リール: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
データシート
非在庫リードタイム 24 週間
最低： 10,000
複数： 10,000
リール: 10,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 50 V 360 mA, 200 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
データシート
非在庫リードタイム 40 週間
最低： 10,000
複数： 10,000
リール: 10,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel