60mΩ(標準値)BSS670小信号MOSFET

ROHM Semiconductor BSS670小信号MOSFETは、高速スイッチングを実現するように設計されたN-Ch、60V、650mAの小信号MOSFETです。BSS670は、2.5Vの超低駆動および(最大値)2kV(HBM)までのESD保護が特徴です。ROHM BSS670 MOSFETは、は、スイッチング回路、ローサイドロードスイッチ、リレードライバに最適です。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFET SOT23 N-CH 60V .65A 2,509在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 60V 650mA, SOT-23, Small Signal MOSFET 4,541在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel