デュアルNPNバイポーラ・デジタル・トランジスタ

onsemiデュアルNPNバイポーラ・デジタル・トランジスタは、単一のデバイスとその外部抵抗バイアス・ネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ (BRT) には、2つの抵抗器（直列ベース抵抗器1つ、ベース・エミッタ抵抗器1つ）で構成されるモノリシック・バイアス・ネットワークを備えたシングル・トランジスタが含まれます。これらのonsemi NPNバイポーラ・デジタル・トランジスタに搭載されているBRTは、これらのコンポーネントを1つのデバイスに統合して個々のコンポーネントを省き、回路設計を簡素化します。BRTを使用することで、システム・コストと基板スペースも削減できます。