700V CoolGaN™ G5パワートランジスタ

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5パワートランジスタは、電力変換テクノロジーにおける大幅な進歩を示しています。これらの窒化ガリウム(GaN)トランジスタは、優れた効率性が備わった高周波数で動作するように設計されており、超高速スイッチングを実現してエネルギー損失を最小限に抑えます。700V CoolGaN G5シリーズは、通常はオフになっているエンハンスメントモードトランジスタが特徴で、安全な動作と高信頼性が保証されます。ゲート充電と出力充電が低いこれらのトランジスタは、ハイパワー密度設計をサポートしており、システムBOMコストを削減できます。

結果: 7
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 1,792在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 4,888在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 5,130在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 1,924在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 1,924在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5 1,096在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
4,994予想2026/02/23
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN