100V~150VのStrongIRFET™パワーMOSFET

Infineon Technologies 100V~150V StrongIRFET™パワーMOSFETは、低オン抵抗 (RDS(on)) および高電流機能を実現するように最適化されています。これらのデバイスは、100V時に最低1.3mΩのan RDS(on) および100V時に最高209Aの通電容量を実現しています。これらの機能により、従来の設計に対応しながら、伝導損失が減少し、電力密度が向上します。StrongIRFETパワーMOSFETは、性能と堅牢性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモーター、バッテリマネジメントシステム、インバータ、DC/DCコンバータなど多種多様なアプリケーションに対処できます。

結果: 11
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) 1,327在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 2,556在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 4,251在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2,864在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 895在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC 3,059在庫
400予想2026/03/26
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 412在庫
3,200取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
6,000取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
754予想2026/02/24
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
380予想2026/04/23
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) 非在庫リードタイム 22 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube