NCV5700DR2G

Name: onsemi NCV5700DR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV5700DR2G
Price: 256 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NCV5700DR2G

メーカ番号：

NCV5700DR2G

メーカ：

onsemi

詳細：

ゲートドライバ HIGH CURRENT IGBT GATE DR

データシート:

NCV5700DR2G データシート

ECADモデル:

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在庫: 2,807

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥256	¥256
	¥188.8	¥1,888
	¥171.2	¥4,280
	¥151.4	¥15,140
	¥142.4	¥35,600
	¥137	¥68,500
	¥122.7	¥122,700
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥119	¥297,500
	¥118.7	¥890,250

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-16
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	7.8 A
供給電圧 - 最小:	0 V
供給電圧 - 最大:	24 V
構成:	Inverting, Non-Inverting
上昇時間:	9.2 ns
下降時間:	7.9 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	NCV5700
認証:	AEC-Q100
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	onsemi
最長電源切断遅延時間:	75 ns
最長電源投入遅延時間:	75 ns
動作供給電流:	900 uA
出力電圧:	5 V
Pd - 電力損失:	900 mW
製品タイプ:	Gate Drivers
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si
単位重量:	142 mg

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選択した属性: 0

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データシート

NCV5700DR2G データシート

Errata

Datasheet update for NCV5700/NCD5700/01 series, DESAT charge current (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

NCV5700高電流IGBTゲートドライバ

onsemi NCV5700高電流IGBTゲートドライバは、+4/-6A IGBT Miller Plateau電圧での高電流出力が特徴です。NCV5700は、高性能スタンドアロン型IGBTドライバで、高電力アプリケーション用です。これらのアプリケーションには、ソーラーインバータ、モータ制御、無停電電源装置があります。また、数多くの外付け部品を排除することで費用対効果の高いソリューションを提供しています。保護機能には、アクティブミラークランプ、精密なUVLO、EN入力、DESAT保護、アクティブロー異常出力があります。このドライバには、精密な5.0V出力と独立した高/低（VOH/VOL）ドライバ出力があり、システム設計の利便性を目的としています。ユニポーラおよびバイポーラ電圧を含むバイアス電源の広い電圧範囲に対応できます。NCV5700は、16ピンSOICパッケージでご用意があります。
詳細

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。