Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

結果: 20
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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
データシート
288在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
データシート
600予想2026/08/28
最低： 1
複数： 1
リール: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
300予想2026/04/03
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC MOSFET 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
データシート
300予想2026/04/03
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
データシート
300予想2026/03/27
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
データシート
300予想2026/03/27
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement

APC-E SiC MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300予想2026/05/01
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
300予想2026/04/03
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E SiC MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300予想2026/05/01
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFET 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
データシート
300予想2026/03/27
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C