X3-Class HiPerFET™パワーMOSFET

IXYS X3-Class HiPerFET™パワーMOSFETは、Nチャンネル・エンハンスメント・モード、アバランシェ定格MOSFETです。X3-Classは、高電力密度を実現しており、取付が簡単で、すべて省スペースパッケージに収められています。IXYS X3-Class MOSFETは、スイッチモードおよび共振モード電源での使用に最適です。

結果: 7
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
IXYS MOSFET TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
データシート
659在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
データシート
684在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
データシート
625在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 49 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
データシート
292在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247
データシート
956在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 66 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
データシート
500在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
データシート
148在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube