TO-247-4薄型1,200V SiCパワーMOSFET

Wolfspeed TO-247-4薄型1,200Vシリコンカーバイド(SiC)パワーMOSFETは、少ない静電容量での高速スイッチング、および低いオン抵抗での高い阻止電圧が特徴です。これらのパワーMOSFETは、スイッチング損失と冷却要件を減らし、ゲートリンギングを最小限に抑えます。1200V SiCパワーMOSFETは、逆回復電荷(Qrr)が少ない高速真性ダイオードを組み込んでいます。これらのパワーMOSFETは、電力密度およびシステムのスイッチング周波数を高めます。1200V SiCパワーMOSFETは、個別のドライバソースピンを備え、最適済みで、本体が低背のTO-247-4パッケージに封止されています。これらのパワーMOSFETは、ハロゲンフリーおよびRoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、モータ制御、EVバッテリ充電器、高電圧DC/DCコンバータ、ソーラー/ESS、UPS、エンタープライズPSUがあります。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 167在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 428在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 153在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 254在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 386在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
880取寄中
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement