EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFETモジュール

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ トレンチ MOSFET モジュールは、PressFIT コンタクト技術を採用し、負温度係数(NTC)温度センサを内蔵しています。 これらのモジュールは、1200Vのドレイン・ソース間電圧で動作し、低インダクタンス設計、低いスイッチング損失、高い電流密度といった特徴を備えています。 EasyPACK™ モジュールは、内蔵の取り付けクランプにより堅牢な取り付けが可能で、CTI >600 のパッケージに収められています。代表的なアプリケーションには、高周波スイッチングデバイス、DC/DCコンバータ、EV向けDC充電器などがあります。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 パッケージ化
Infineon Technologies MOSFETモジュール EASY 15在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFETモジュール EASY 18在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFETモジュール EASY 28在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 C 4.35 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFETモジュール EASY 14在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFETモジュール EASY 6在庫
15予想2026/02/20
最低: 1
複数: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFETモジュール EASY
30取寄中
最低: 1
複数: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray