SIHG080N60E-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHG080N60E-GE3
SIHG080N60E-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET TO247 600V 35A N-CH MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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合計 額
¥867.2 ¥867
¥540.8 ¥5,408
¥520 ¥52,000
¥462.4 ¥231,200
¥358.4 ¥358,400

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247AC-3
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
下降時間: 31 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 4.6 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 96 ns
シリーズ: SIHG E
工場パックの数量: 500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 37 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 31 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

データシート

Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiHG080N60E EシリーズパワーMOSFET

Vishay / Siliconix SiHG080N60E EシリーズパワーMOSFETは、第4世代Eシリーズ技術を活用して低減されているスイッチング損失と導通損失が特徴です。SiHG080N60EパワーMOSFETには、650Vドレイン-ソース間電圧63nC総ゲート電荷があり、TO-247ACパッケージに収められています。SiHG080N60E MOSFETには、低性能指数（FOM）Ron x Qgおよび低実効容量（Co(er)）が備わっています。

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