REXFET-1 100Vと150VパワーMOSFET

Renesas Electronics REXFET-1 100Vと150VパワーMOSFETは、スプリットゲートテクノロジーを採用しており、オン抵抗 RDSON と性能指数を大幅に削減し、大電流アプリケーションに最適です。TOLL(TO-リードレス)、TOLG(TO リード付きガルウィング)、TOLT(TO 上面冷却)パッケージでご用意があり、素晴らしい熱伝導性能率と最大電力能力を提供します。さらにMOSFETは、優れたはんだ接合性能を実現するウェッタブルフランクパッケージングが特長です。REXFET-1 MOSFETは、自動車アプリケーション向けPPAPサポートにより、AEC-Q100認定を受けています。

結果: 32
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,300
複数: 1,300
リール: 1,300

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
リール: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,300
複数: 1,300
リール: 1,300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
リール: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel