Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS 製品タイプ
技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
IXYS MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 1
複数： 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 1
複数： 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 60 Amps 200V
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
データシート
非在庫リードタイム 24 週間
最低： 300
複数： 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5
IXYS MOSFET TO247 150V 102A N-CH TRENCH
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 160Amps 150V
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench Gate Power MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET TO247 250V 86A N-CH TRENCH
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-5
IXYS MOSFET MOSFET Id130 BVdass100
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds
データシート
在庫なし
最低： 50
複数： 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 42 Amps 150V 0.045 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
データシート
非在庫リードタイム 31 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3