PowerGaN E-Mode G-HEMT™ トランジスタ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics)PowerGaN E-Mode G-HEMT™トランジスタは、高性能、エンハンスメントモード(ノーマリーオフ)GaN デバイスで、要求の厳しい電力変換アプリケーションにおいて、非常に高速なスイッチング、低い導通損失、およびハイパワー密度を実現するように設計されています。これらのトランジスタは、窒化ガリウムの広帯域ギャップの利点を活用して、非常に低い静電容量、最小限のゲート充電、およびゼロの逆回復充電を実現し、従来のシリコンパワースイッチと比較して優れた効率性を発揮します。

結果: 9
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 技術
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 354在庫
カットテープ
¥1,654.4
¥911.9
¥852.1
¥696
リール
¥694.3
最低: 1
複数: 1
: 1,800
SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 880在庫
カットテープ
¥1,137.8
¥606.3
¥554.8
¥519.9
¥456.8
リール
¥423.6
最低: 1
複数: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 949在庫
カットテープ
¥988.3
¥519.9
¥473.4
¥430.2
¥413.6
リール
¥350.5
最低: 1
複数: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 910在庫
カットテープ
¥842.1
¥601.3
¥451.8
¥435.2
リール
¥312.3
最低: 1
複数: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 987在庫
カットテープ
¥669.4
¥340.5
¥308.9
¥254.1
リール
¥209.3
最低: 1
複数: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 970在庫
カットテープ
¥634.5
¥320.6
¥290.7
リール
¥290.7
最低: 1
複数: 1
最大: 100
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 547在庫
カットテープ
¥465.1
¥229.2
¥206
¥165.4
リール
¥138.2
最低: 1
複数: 1
: 2,500
SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
2,500予想2026/11/20
カットテープ
¥476.7
¥235.9
¥212.6
¥171.1
リール
¥142.5
最低: 1
複数: 1
: 2,500
SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 非在庫リードタイム 52 週間
リール
¥910.2
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si