IRFB4020PBF

Infineon Technologies
942-IRFB4020PBF
IRFB4020PBF

メーカ：

詳細：
MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

データシート:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥288 ¥288
¥109.1 ¥1,091
¥109 ¥10,900
¥94.4 ¥47,200
¥88.3 ¥88,300
¥83.5 ¥167,000
¥79 ¥395,000

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
18 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Tube
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 6.3 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 24 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 12 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 16 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 7.8 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

パワーMOSFET

Infineonは、HEXFETパワーMOSFETテクノロジーのパイオニアであり、1979年に最初の六角トロポジMOSFETを開発および導入しました。これらの開発は、わずか4年後に広範な特許が付与されました。それ以来ほとんどのMOSFETメーカーは、この市場に参入する設計とプロセスのライセンスを取得しています。IR製品には、それらのクラスにおける類似コンポーネントを対象とした市販されている製品の中で最低レベルのMOSFET ON抵抗が備わっており、比類のない効率性をともなう電力変換サブシステム設計が実現します。IRには、最先端のシリコン技術と革新的なパッケージング技術が組み合わされています。IR POWIRTAB™、Super-220™、Super-247™パッケージによって、スタンダードのパッケージに比べて同じフットプリントで1デバイスあたり最大20A以上の電流が実現しており、電力密度が増大します。スタンダードの表面実装はんだ付け技術との互換性があるIRのFlipFET®パッケージング技術は、3倍の大きさの従来のパッケージと同じ性能で100％シリコンとフットプリント比率を実現しており、携帯電話やノートPCといったポータブルデバイスに最適なソリューションです。IRのDirectFET®パッケージングは、パッケージの上部からボードの熱を放散させることによって、スタンダードSO-8フットプリントでの熱管理に大きな革命をもたらしています。結果として、DirectFET MOSFETは、次世代マイクロプロセッサに給電する高電流回路における熱管理コストを半分にカットすると同時に、電流密度を2倍にできます。

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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