UMOS 11低電圧MOSFET

Toshiba UMOS 11低電圧MOSFETは、コンパクトなパッケージでありながら、高い電力効率と信頼性の高いスイッチング性能を実現するために開発されました。UMOS 11シリーズは、低いRDS(on)、Qoss、Qrrを実現し、優れた総合的なスイッチング特性を備えているため、DC-DCコンバータやモータドライブから、サーバー用電源やその他のスイッチング電源に至るまで、幅広い用途に最適です。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 100 V, 0.0027 Ohma.10V, SOP Advance(N), U-MOS11-H 2,397在庫
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 190 A 2.7 mOhms 20 V 4.3 V 52 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H
5,000予想2026/09/14
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 0.67 Ohms 20 V 2 V 88 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
5,000予想2026/07/17
最低: 1
複数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 288 A 1.4 mOhms 20 V 3.6 V 80 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel