OptiMOS™ 6 150VパワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V パワーMOSFETは、業界をリードする低R_DS(on) 、改善されたスイッチング性能、および優れたEMI動作を特徴としており、比類のない効率、電力密度、信頼性を実現しています。OptiMOS 6テクノロジーは、前世代のOptiMOS 5と比較して、R_DS(on) を最大41%低減、FOM_g を20%低減、FOM_gd を17%低減するなど、大幅な改善を実現しています。さらに、これらのMOSFETには、高アバランシェ耐久性および+175°Cの最高接合部温度が備わっており、要求の厳しい環境での堅牢で安定した動作が保証されます。幅広いパッケージラインアップを提供するInfineon OptiMOS™ 6 150V パワーMOSFETは、高スイッチング周波数と低スイッチング周波数の両方のアプリケーションの厳しい要件を満たすように設計されており、システムの信頼性向上と長寿命化を実現します。